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元件参数资料
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参数目录49353
> FDMS86310 MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN
型号:
FDMS86310
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDMS86310 PDF
标准包装
3,000
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
17A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
4.8 毫欧 @ 17A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
95nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
6290pF @ 40V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
8-PQFN(5X6),Power56
包装
带卷 (TR)
查看FDMS86310代理商
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